HyCores 的第二代 SiC MOSFET 采用先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)，可提供額外的可靠性功能。它們是開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的理想選擇。
HyCores 的第二代 SiC MOSFET 采用先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)，可提供額外的可靠性功能。它們是開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的理想選擇。
HyCores 的第二代 SiC MOSFET 采用先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)，可提供額外的可靠性功能。它們是開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的理想選擇。
HyCores 的第二代 SiC MOSFET 采用先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)，可提供額外的可靠性功能。它們是開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的理想選擇。
HyCores 的第二代 SiC MOSFET 采用先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)，可提供額外的可靠性功能。它們是開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的理想選擇。
HyCores 的第二代 SiC MOSFET 采用先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)，可提供額外的可靠性功能。它們是開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的理想選擇。
Datasheet S2M120R040Q_Ver0.a.pdf | 1.19MB | 下載 |
HyCores 的第二代 SiC MOSFET 采用先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)，可提供額外的可靠性功能。它們是開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的理想選擇。
Datasheet S2M120R040W_Ver1.1.pdf | 1.54MB | 下載 |
HyCores 的第二代 SiC MOSFET 采用先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)，可提供額外的可靠性功能。它們是開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的理想選擇。
數(shù)據(jù)表 S2M120R065Q_V1.0.pdf | 1.42MB | 下載 |
HyCores 的第二代 SiC MOSFET 采用先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)，可提供額外的可靠性功能。它們是開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的理想選擇。
Datasheet S2M120R065W_V0.b.pdf | 1.53MB | 下載 |
HyCores 的第二代 SiC MOSFET 采用先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)，可提供額外的可靠性功能。它們是開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的理想選擇。
Datasheet S2M120R080Q_Ver 0.a(1).pdf | 1.4MB | 下載 |
HyCores 的第二代 SiC MOSFET 采用先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)，可提供額外的可靠性功能。它們是開(kāi)關(guān)模式電源、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的理想選擇。
Datasheet S2M120R080W_Ver1.2.pdf | 1.52MB | 下載 |
|
|